可见近红外LED光源作为光电技术的核心组件，其原理基于半导体材料的电致发光效应。当正向电流通过由砷化镓（GaAs）或铝镓砷（AlGaAs）等材料构成的PN结时，电子与空穴复合释放能量，以光子的形式发射出波长在350nm至2526nm范围内的电磁波。其中，近红外光（780-2526nm）因穿透性强、无热损伤等特性，成为工业检测、医疗诊断和安防监控等领域的关键技术载体。性能突破的核心在于材料与结构创新。传统近红外LED受限于材料带隙，发射波长多集中于850nm附近，而近年通过荧光...

真空紫外光谱技术（100-200nm）因空气吸收、材料限制及复杂光学设计，面临多重技术挑战，但其解决方案正推动其在空间探测、半导体制造等领域实现突破性应用。关键挑战一：空气吸收与真空环境依赖真空紫外波段光子易被空气中氧气和氮气吸收，导致信号衰减超99%。传统解决方案依赖高真空系统，但火箭、卫星等空间载荷需兼顾轻量化与密封性。例如，早期火箭搭载的掠入射分光计通过真空封装消除空气干扰，但需复杂压强平衡设计。现代解决方案采用氮气吹扫或局部真空腔体，如McPhersonVUVAS系统...